我們知道，糾錯能力是一個SSD質量的重要指標。最開始的NAND每個存儲單元只放一個bit，叫SLC，后來又有了MLC，現在主流的是TLC。在存儲密度不斷增加的同時，器件尺寸變小，存儲單元電氣耦合性變得很復雜。比如氧化層變得很薄，比如讀取單個bit需要的讀電壓控制能力更精密等，總的來說， NAND flash更容易出錯了，或者說NAND上的噪聲增加了。

RBER( Raw Bit Error Rate)是衡量NAND質量的重要參數。給定RBER，可以比較各種糾錯算法的有效性，如圖9-26所示。 

圖926曲線從右到左依次是BCH、LDPC硬判決算法、LDPC軟判決算法，縱軸表示糾錯失敗的概率，橫軸表示RBER

 可以看到，LDPC軟判決算法由于有更多的信道信息，相對于BCH和LDPC硬判決算法更有優勢。